STGWA25M120DF3

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Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 10 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 25 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft- and fast-recovery antiparallel diode

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      DS12637
      Trench gate field-stop, 1200 V, 25 A, low-loss, M series IGBT in a TO-247 long leads package
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      DS12637

      Trench gate field-stop, 1200 V, 25 A, low-loss, M series IGBT in a TO-247 long leads package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4929
      H series 1200 V IGBTs on 3-phase full-bridge DC-DC power converter welding machine
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
      PDF
      Trench gate field-stop IGBT 1200V M series 1.0
      1.9 MB
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      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

      Trench gate field-stop IGBT 1200V M series

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGWA25M120DF3
批量生产
TO-247 long leads Industrial Ecopack2

STGWA25M120DF3

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Industrial

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