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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • 10 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 25 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft- and fast-recovery antiparallel diode

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    • 产品型号
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      查找器App ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

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STMicroelectronics - STGWA25M120DF3

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGWA25M120DF3
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STGWA25M120DF3

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TO-247 long leads

Material Declaration**:

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包装类型

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Country of Origin

CHINA

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