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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 40 A
    • 5 μs minimum short circuit withstand time at TJ=150 °C
    • Safe paralleling
    • Very fast recovery antiparallel diode
    • Low thermal resistance

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      DS9298
      Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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      DS9298

      Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed

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      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4929
      H series 1200 V IGBTs on 3-phase full-bridge DC-DC power converter welding machine
      1.1
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      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
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      ST IGBT FINDER: The new app for Android and iOS 1.0
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      STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program 1.0
      784.76 KB
      PDF

      ST IGBT FINDER: The new app for Android and iOS

      STPOWER™ Transistors in the 10 years longevity program

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGWA40H120DF2
批量生产
TO-247 long leads Industrial Ecopack2

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