STGWA50M65DF2

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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、50 A,低损耗

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 所有功能

    • 6 µs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 50 A
    • Tight parameters distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

特别推荐

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    • 产品型号
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

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      STPOWER IGBT Finder

      描述:

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STMicroelectronics - STGWA50M65DF2

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGWA50M65DF2
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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss TO-247 long leads 工业 Ecopack2

STGWA50M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

Material Declaration**:

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批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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CHINA

一般描述:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

STGWA50M65DF2

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EAR99

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tube

封装

TO-247 long leads

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

4.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

一般描述

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商