STGWA50M65DF2

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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • 6 µs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 50 A
    • Tight parameters distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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STGWA50M65DF2 TO-247 long leads Tube
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Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

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      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low-loss in a TO-247 long leads package
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      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 50 A low-loss in a TO-247 long leads package

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      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
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      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
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      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGWA50M65DF2
批量生产
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss TO-247 long leads Industrial Ecopack2

STGWA50M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

Material Declaration**:

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批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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