STGWT20IH125DF

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1250 V、20 A IH系列沟槽栅场截止IGBT

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产品概述

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These IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure and performance is optimized in both conduction and switching losses. A freewheeling diode with a low drop forward voltage is co-packaged. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for any resonant and soft-switching application.
  • 所有功能

    • Designed for soft commutation only
    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • Minimized tail current
    • VCE(sat)= 2.0 V (typ.) @ IC= 15 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Very low VFsoft recovery co-packaged diode
    • Low thermal resistance
    • Lead free package

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      状态
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      STPOWER IGBT Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      STPOWER IGBT Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的IGBT产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STGWT20IH125DF

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3D模型

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGWT20IH125DF
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TO-3P 工业 Ecopack2

STGWT20IH125DF

Package:

TO-3P

Material Declaration**:

Marketing Status

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Package

TO-3P

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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EAR99 NEC Tube TO-3P -55 175 SOUTH KOREA

STGWT20IH125DF 批量生产

封装:
TO-3P
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STGWT20IH125DF

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tube

Operating Temperature (°C)

Min:

-55

Max:

175

Country of Origin:

SOUTH KOREA

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MOUSER

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(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商