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Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package

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      IGBT datasheet tutorial
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      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
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      ST IGBT FINDER: The new app for Android and iOS 1.0
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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package Max247 long leads Automotive Ecopack2

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Package:

Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package

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批量生产

General Description

Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package

Package

Max247 long leads

Grade

Automotive

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持