STGYA120M65DF2AG

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汽车级650 V、120 A沟槽栅场截止M系列低损耗IGBT,Max247长引线封装

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 所有功能

    • AEC-Q101 qualified
    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 120 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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产品型号 Marketing Status 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGYA120M65DF2AG
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Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package Max247 long leads 汽车应用 Ecopack2

STGYA120M65DF2AG

Package:

Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package

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批量生产

General Description

Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package

Package

Max247 long leads

Grade

Automotive

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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NEC

包装类型

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封装

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Country of Origin

CHINA

一般描述

Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商