产品概述
描述
该器件是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。该器件是“H”系列IGBT中的成员，代表了导通损耗与开关损耗之间的最佳折衷，实现了高开关频率转换器的效率最大化。此外，它的VCE(sat)正温度系数和超紧密的参数分布使得并联操作更为安全。
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所有功能
- 最大结温：TJ = 175 °C
- 短路耐受时间为5 μs
- VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
- 紧凑参数分布
- 正VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 恢复速度极快的反向并联晶体管
特别推荐
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STMicroelectronics - STGYA75H120DF2
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符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 13 Oct 2021 | 13 Oct 2021 |
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STGYA75H120DF2 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tube | Max247 long leads | -55 | 175 | CHINA | | ||
distributors
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