STH130N10F3-2

NRND

N沟道100 V、7.8 mOhm典型值、120 A STripFET(TM) 功率MOSFET,H2PAK-2封装

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  • These devices are N-channel enhancement mode Power MOSFETs produced using STMicroelectronics’ STripFET™ III technology, which is specifically designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.

    主要特性

    • Ultra low on-resistance
    • 100% avalanche tested

All tools & software

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STH130N10F3-2
NRND
H2PAK-2 工业 Ecopack1

STH130N10F3-2

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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产品型号
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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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NRND
EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-2 - - CHINA 1.4 / 1k

STH130N10F3-2

供货状态

NRND

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

1.4 / 1k

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-2

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.4 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商