STH13N120K5-2AG

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汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,H2PAK-2封装

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  • This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Industry’s lowest RDS(on) x area
    • Industry’s best FoM (figure of merit)
    • Ultra-low gate charge
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STH13N120K5-2AG

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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H2PAK-2 汽车应用 Ecopack1

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Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

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Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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产品型号
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供货状态
ECCN (US)
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包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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最小值
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DIGIKEY WORLDWIDE 851 1 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 1555 1 马上订购
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RUTRONIK EUROPE 3 1000 马上订购

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代理商名称

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1

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1

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EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-2 - - CHINA 8.0 / 1k

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ECCN (US)

EAR99

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DIGIKEY WORLDWIDE 851 1 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 1555 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 110 1 马上订购
RUTRONIK EUROPE 3 1000 马上订购

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DIGIKEY

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库存

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地区

EUROPE 马上订购

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-2

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

8.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商