STH140N8F7-2

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N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 处于市面上最低的RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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      DS10543
      N-channel 80 V, 3.3 mΩ typ., 90 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H²PAK-2 package
      2.0
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      DS10543

      N-channel 80 V, 3.3 mΩ typ., 90 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a H²PAK-2 package

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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STH140N8F7-2
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H2PAK-2 工业 Ecopack1

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H2PAK-2

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H2PAK-2

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包装类型

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封装

H2PAK-2

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