产品概述
描述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
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所有功能
- 处于市面上最低的RDS(on)行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STH150N10F7-2
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符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | Latest update | ||
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STH150N10F7-2 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | H2PAK-2 | - | - | CHINA | | ||
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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