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STH175N4F6-2AG

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Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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  • These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on)in all packages.

    主要特性

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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STH175N4F6-2AG H2PAK-2 Tape And Reel
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      		DS10892
      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mΩ typ.,120 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6 packages       		1.0
      589.14 KB
      		PDF
      DS10892

      Automotive-grade N-channel 40 V, 1.9 mΩ typ.,120 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6 packages

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies       		1.1
      1.22 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      PDF
      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STH175N4F6-2AG PSpice model 1.0
      9.93 KB
      		ZIP

      STH175N4F6-2AG PSpice model

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      		PDF
      		STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      PDF

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

      PDF
产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STH175N4F6-2AG
NRND
H2PAK-2 Automotive Ecopack1

STH175N4F6-2AG

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

More Info

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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