产品概述
描述
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on)in all packages.-
所有功能
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
精选 视频
All tools & software
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产品规格 (1)
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20 Feb 2015 | 20 Feb 2015 |
应用手册 (4)
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13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
07 Jan 2019 | 07 Jan 2019 | |||
17 Mar 2021 | 17 Mar 2021 | |||
13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
用户手册 (1)
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21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
宣传册 (5)
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22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | |||
26 Mar 2021 | 26 Mar 2021 | |||
25 Sep 2019 | 25 Sep 2019 | |||
08 May 2020 | 08 May 2020 | |||
13 Jun 2019 | 13 Jun 2019 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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SPICE models (1)
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ZIP | 24 Feb 2015 | 24 Feb 2015 |
质量与可靠性
产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
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STH175N4F6-2AG | NRND | H2PAK-2 | 汽车应用 | Ecopack1 | |
STH175N4F6-2AG
Package:
H2PAK-2Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持 。
样片和购买
产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度(ºC) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小值 | 最大值 | |||||||||||
STH175N4F6-2AG | 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 | NRND | EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-2 | - | - | CHINA |
供货状态
NRNDECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty