STH180N4F6-2

NRND

N沟道40 V、1.9 mOhm典型值、120 A STripFET F6功率MOSFET,H2PAK-2封装

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

All tools & software

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STH180N4F6-2
NRND
H2PAK-2 工业 Ecopack1

STH180N4F6-2

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
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最大值
STH180N4F6-2 没有经销商,请联系我们的销售办事处
NRND
EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-2 - - CHINA

STH180N4F6-2

供货状态

NRND

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-2

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商