STH185N10F3-6

批量生产

Automotive-grade N-channel 100 V, 3.9 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package

下载数据手册

Order from our eStore and our distributors

立即购买
概述
工具与软件
资源
解决方案
质量与可靠性
Sales Briefcase
eDesignSuite
开始
样片和购买
Partner products
  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using STripFET™ F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Ultra low on-resistance
    • 100% avalanche tested

样片和购买

产品型号
封装
包装类型
供货状态
预算价格(US$)
数量
ECCN (US)
Country of Origin
从分销商订购
从ST订购
STH185N10F3-6 H2PAK-6 Tape And Reel
批量生产
- EAR99 CHINA 查看供货情况

Distributor availability ofSTH185N10F3-6

代理商名称
地区 库存 最小订购量 Third party link
MOUSER WORLDWIDE 50 1 Order Now

代理商库存报告日期: 2019-12-13

代理商名称

MOUSER

库存

50

Min.Order

1

地区

WORLDWIDE Order Now

代理商库存报告日期: 2019-12-13

立即购买

STH185N10F3-6

封装

H2PAK-6

包装类型

Tape And Reel

单价(US$)

*

Distributor availability ofSTH185N10F3-6

代理商名称
地区 库存 最小订购量 Third party link
MOUSER WORLDWIDE 50 1 Order Now

代理商库存报告日期: 2019-12-13

代理商名称

MOUSER

库存

50

Min.Order

1

地区

WORLDWIDE Order Now

代理商库存报告日期: 2019-12-13

供货状态

批量生产

单价(US$)

-

数量

-

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商

精选 产品

适合您的资源

开发工具硬件

    • 产品型号

      MOSFET product finder application for Android and iOS

00 选择要下载的文档

技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS10777
      Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 mΩ typ., STripFET™ F3 Power MOSFET in an H2PAK- 6 package
      2.0
      913.91 KB
      PDF
      DS10777

      Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 mΩ typ., STripFET™ F3 Power MOSFET in an H2PAK- 6 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STH185N10F3-6 PSpice model 1.0
      9.85 KB
      ZIP

      STH185N10F3-6 PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STH185N10F3-6
批量生产
H2PAK-6 汽车 Ecopack1

STH185N10F3-6

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

支持中心或 提供反馈