产品概述
描述
该N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术（采用增强型沟槽栅结构），增强了线性模式耐受能力，并提供更宽的SOA和非常低的导通电阻。由此而来的MOSFET实现了线性模式和开关操作之间的最佳平衡。
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所有功能
- 最优SOA性能
- 高电流浪涌能力
- 极低的导通电阻
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STH200N10WF7-2
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 封装 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（ºC） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STH200N10WF7-2 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | H2PAK-2 | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STH200N10WF7-2 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
封装:
H2PAK-2
包装类型:
Tape and Reel
RoHS:
-
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
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