STH270N8F7-2

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N沟道80 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装

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该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
  • 所有功能

    • 处于市面上最低的 RDS(on)行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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STH270N8F7-2

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