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STH275N8F7-6AG

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汽车级N沟道80 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-6封装

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产品概述

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该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。

  • 所有功能

    • 通过AEC-Q101认证
    • 处于市面上最低的RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数（FoM）
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
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    • 产品型号
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      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      		 Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STH275N8F7-6AG

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STH275N8F7-6AG PSpice model
1.0 15 Jan 2016
15 Jan 2016
STH275N8F7-6AG PSpice model 1.0

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STH275N8F7-6AG
批量生产
H2PAK-6 汽车应用 Ecopack1

STH275N8F7-6AG

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

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批量生产

Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

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EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-6 - - CHINA

STH275N8F7-6AG

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包装类型

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封装

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-

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Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。