Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package

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  • 该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 通过AEC-Q101认证
    • 处于市面上最低的RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力

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      DS10740
      Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mΩ typ., 180 A, STripFET™ F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6
      4.0
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      DS10740

      Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mΩ typ., 180 A, STripFET™ F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6

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      AN3267
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STH275N8F7-6AG PSpice model 1.0
      9.8 KB
      ZIP

      STH275N8F7-6AG PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STH275N8F7-6AG
批量生产
H2PAK-6 汽车 Ecopack1

STH275N8F7-6AG

Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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