STH275N8F7-6AG

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汽车级N沟道80 V、1.7 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装

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  • 该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 通过AEC-Q101认证
    • 处于市面上最低的RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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H2PAK-6 汽车应用 Ecopack1

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Package:

H2PAK-6

Material Declaration**:

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Package

H2PAK-6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

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包装类型

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封装

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