STH310N10F7-6

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N沟道100 V、1.9 mOhm典型值、180 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-6封装

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该N-沟道功率MOSFETs利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
  • 所有功能

    • 处于市面上最低的 RDS(on)行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STH310N10F7-6
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H2PAK-6 工业 Ecopack1

STH310N10F7-6

Package:

H2PAK-6

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H2PAK-6

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape and Reel H2PAK-6 - - CHINA

STH310N10F7-6 批量生产

封装:
H2PAK-6
ECCN (US):
EAR99
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产品型号:

STH310N10F7-6

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

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CHINA

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