STH320N4F6-2

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These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low R_DS(on) in all packages.

主要特性
- AEC-Q101 qualified
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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  STPOWER MOSFET Finder ST STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones
  
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  STPOWER MOSFET Finder
  
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产品规格

	描述	版本	文档大小	操作
	DS9472 Automotive-grade N-channel 40 V, 1.1 mΩ typ., 200 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6	3.0	882.91 KB	PDF

DS9472

Automotive-grade N-channel 40 V, 1.1 mΩ typ., 200 A STripFET™ F6 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6

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应用手册

描述	版本	文档大小	操作
AN3267 Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance	1.2	1.13 MB	PDF
AN4191 Power MOSFET: Rg impact on applications	1.2	1.45 MB	PDF
AN4390 ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies	1.1	1.22 MB	PDF
AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN3267

Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

PDF

AN4191

Power MOSFET: Rg impact on applications

PDF

AN4390

ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

PDF

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

PDF

用户手册
- 描述版本文档大小操作
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

硬件型号、CAD库及SVD

	描述	版本	文档大小	操作
	STH320N4F6-2 PSpice model	2.0	10.21 KB	ZIP

出版刊物和宣传资料

宣传册

描述	版本	文档大小	操作
300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions	1.0	568.16 KB	PDF
AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive	1.0	743.73 KB	PDF
STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications	1.0	1.15 MB	PDF