搜索
取消
搜索历史
收藏

Please log in  to show your saved searches.

STH320N4F6-2

NRND
储存到myST

N沟道40 V、1.1 mOhm典型值、200 A STripFET F6功率MOSFET，H2PAK-2封装

下载数据手册
Order Direct
概述
Online design
样片和购买
解决方案
文件
CAD资源
工具与软件
质量与可靠性
Partner products
Sales Briefcase

产品概述

描述

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFETs exhibit very low RDS(on) in all packages.

精选 产品

特别推荐

All tools & software

    • 产品型号
      		状态
      		描述
      		类型
      		供应商

      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      		 Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STH320N4F6-2

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型，加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择，以匹配您的设计工具链。

Symbols

符号

Footprints

封装

3D model

3D模型

全部资源

展开所有类别
Resource title
版本
Latest update

SPICE models (1)

Resource title
版本
Latest update
STH320N4F6-2 PSpice model
2.0 26 Jan 2015
26 Jan 2015
STH320N4F6-2 PSpice model 2.0

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STH320N4F6-2
NRND
H2PAK-2 汽车应用 Ecopack1

STH320N4F6-2

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

PDF XML
More Info

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

样片和购买

产品型号
从分销商订购
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度（ºC） Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小值
最大值
STH320N4F6-2 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 Buy Direct
NRND
EAR99 NEC Tape And Reel H2PAK-2 - - CHINA

STH320N4F6-2

供货状态

NRND

ECCN (US)

EAR99
更多信息

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

H2PAK-2

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。