Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in an H2PAK-2 package

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
    • 处于市面上最低的RDS(on)行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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      Automotive-grade N-channel 40 V, 0.8 mΩ typ., 200 A STripFET™ F7 Power MOSFETs in H²PAK-2 and H²PAK-6 packages
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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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出版刊物和宣传资料

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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STH410N4F7-2AG
Active
H2PAK-2 汽车 Ecopack1

STH410N4F7-2AG

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

H2PAK-2

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.