STH80N10F7-2

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该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的R_DS(on)。

主要特性
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 低栅极输入电阻
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产品规格

	描述	版本	文档大小	操作
	DS10162 N-channel 100 V, 0.008 Ω typ., 80 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220	1.0	1.33 MB	PDF

DS10162

N-channel 100 V, 0.008 Ω typ., 80 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220

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应用手册

描述	版本	文档大小	操作
AN3267 Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance	1.2	1.13 MB	PDF
AN4789 Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance	1.1	1,006.7 KB	PDF
AN4191 Power MOSFET: Rg impact on applications	1.2	1.45 MB	PDF
AN4390 ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies	1.1	1.22 MB	PDF
AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

AN3267

Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

PDF

AN4789

Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

PDF

AN4191

Power MOSFET: Rg impact on applications

PDF

AN4390

ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

PDF

AN4337

The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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用户手册
- 描述版本文档大小操作
  
  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
  PDF
  
  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
  PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

出版刊物和宣传资料

宣传册

描述	版本	文档大小	操作
300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions	1.0	568.16 KB	PDF
AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive	1.0	743.73 KB	PDF
STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications	1.0	1.15 MB	PDF