产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。-
所有功能
- 极低的栅极电荷
- 超低导通电阻
- 低栅极输入电阻
精选 视频
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Ideal for hard-switching and high-current topologies
All tools & software
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STH80N10F7-2
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符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STH80N10F7-2 |
NRND
|
H2PAK-2 | 工业 | Ecopack1 |
|
STH80N10F7-2
Package:
H2PAK-2Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STH80N10F7-2 | 1 distributors |
NRND
|
EAR99 | NEC | Tape And Reel | H2PAK-2 | - | - | CHINA | 0.8916 / 1k | ||
供货状态
NRNDECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
0.8916 / 1k