STI20N65M5

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N沟道650 V、0.160 Ohm典型值、18 A MDmesh M5功率MOSFET,I2PAK封装

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  • These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主要特性

    • Worldwide best RDS(on) * area
    • Higher VDSSrating and high dv/dt capability
    • Excellent switching performance
    • 100% avalanche tested

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS8921
      N-channel 650 V, 0.160 Ω typ., 18 A MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220 and TO-247 packages
      2.1
      1.14 MB
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      DS8921

      N-channel 650 V, 0.160 Ω typ., 18 A MDmesh™ V Power MOSFET in D²PAK, I²PAK, TO-220 and TO-247 packages

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4829
      Fishbone diagrams for a forward converter
      1.1
      1.35 MB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4829

      Fishbone diagrams for a forward converter

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      PDF
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STI20N65M5
批量生产
I2PAK 工业 Ecopack2

STI20N65M5

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

I2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

产品型号
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从ST订购
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STI20N65M5 Available at 4 distributors

...的经销商可用性STI20N65M5

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ARROW EUROPE 1000 0 马上订购
P&S ASIA/PACIFIC 700 1 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 900 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 166 1 马上订购

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代理商名称

ARROW

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立即购买 I2PAK Tube
批量生产
EAR99 CHINA

STI20N65M5

封装

I2PAK

包装类型

Tube

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