STI47N60DM6AG

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汽车级N沟道600 V、70 mOhm典型值、36 A MDmesh DM6功率MOSFET,I2PAK封装

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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fastrecovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • AEC-Q101 qualified
    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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I2PAK 汽车应用 Ecopack1 (*)

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Package:

I2PAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

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Package

I2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1 (*)

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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封装
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包装类型

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封装

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Country of Origin

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