STK130N4LF7AG

NRND
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汽车级N沟道40 V、2.4 mOhm典型值、100 A STripFET F6功率MOSFET,LFPAK封装

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产品概述

描述

该N沟道功率MOSFET利用STripFET F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

  • 所有功能

    • 符合AEC-Q101标准
    • 市场上最低的RDS(on)
    • 出色的品质因数 (FoM)
    • 较低的Crss/Ciss比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STK130N4LF7AG

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符号

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封装

3D model

3D模型

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STK130N4LF7AG
NRND
LFPAK 5X6 汽车应用 Ecopack2

STK130N4LF7AG

Package:

LFPAK 5X6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

LFPAK 5X6

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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