STL11N3LLH6

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N沟道30 V、6 mOhm典型值、11 A STripFET H6功率MOSFET,PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3封装

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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    • 产品型号
      状态
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      X-NUCLEO-USBPDM1

      批量生产

      USB Type-C™ Power Delivery SINK expansion board based on TCPP01-M12 for STM32 Nucleo

      STM32 ODE电源驱动硬件 ST
      X-NUCLEO-USBPDM1

      描述:

      USB Type-C™ Power Delivery SINK expansion board based on TCPP01-M12 for STM32 Nucleo

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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PowerFLAT 3.3x3.3 工业 Ecopack2

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Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

Material Declaration**:

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PowerFLAT 3.3x3.3

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Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 3.3x3.3 - - CHINA

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 3.3x3.3

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CHINA

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