N-channel 30 V, 6 mOhm typ., 11 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL11N3LLH6 PowerFLAT 3.3x3.3 Tape And Reel
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      DS6909
      N-channel 30 V, 6 mΩ typ., 11 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package
      3.0
      682.92 KB
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      DS6909

      N-channel 30 V, 6 mΩ typ., 11 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
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      UM1575
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      1.3
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      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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STL11N3LLH6
批量生产
PowerFLAT 3.3x3.3 工业 Ecopack2

STL11N3LLH6

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

Material Declaration**:

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PowerFLAT 3.3x3.3

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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