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STL12P6F6

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P沟道60 V、0.13 Ohm典型值、3 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装

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This device is an P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits a very low RDS(on)in all packages.

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EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STL12P6F6

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PowerFLAT 5x6 工业 Ecopack2

STL12P6F6

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PowerFLAT 5x6

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PowerFLAT 5x6

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(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 5x6 - - CHINA 0.2659 / 1k

STL12P6F6

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ECCN (US)

EAR99
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NEC

包装类型

Tape And Reel

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PowerFLAT 5x6

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Country of Origin

CHINA

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