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STL12P6F6

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P-channel 60 V, 0.13 Ohm typ., 3 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • This device is an P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits a very low RDS(on)in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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      		DS9554
      P-channel 60 V, 0.13 Ω typ., 12 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package       		2.0
      1.05 MB
      		PDF
      DS9554

      P-channel 60 V, 0.13 Ω typ., 12 A STripFET™ F6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL12P6F6
批量生产
PowerFLAT 5x6 Industrial Ecopack2

STL12P6F6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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批量生产

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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