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汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
    • 处于市面上最低的 RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力
    • 侧面可焊性封装

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      DS11231
      Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mΩ typ., 120 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package
      4.0
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      DS11231

      Automotive-grade N-channel 80 V, 3.15 mΩ typ., 120 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

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      912.41 KB
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      TN1236

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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质量与可靠性

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PowerFLAT 5x6 WF 汽车应用 Ecopack2

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PowerFLAT 5x6 WF

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PowerFLAT 5x6 WF

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Automotive

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PowerFLAT 5x6 WF

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