STL13DP10F6

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Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island

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  • This device is a dual P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    主要特性

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power losses

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STL13DP10F6 PowerFLAT 5x6 double island Tape And Reel
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      DS9367
      Dual P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 3.3 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island
      2.0
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      Dual P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 3.3 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island

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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs
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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL13DP10F6
批量生产
PowerFLAT 5x6 double island Industrial Ecopack2

STL13DP10F6

Package:

PowerFLAT 5x6 double island

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 5x6 double island

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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