STL13DP10F6

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双路P沟道100 V、0.136 Ohm典型值、3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,PowerFLAT(TM) 5x6双岛封装

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  • This device is a dual P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    主要特性

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power losses

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9367
      Dual P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 3.3 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island
      2.0
      575.01 KB
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      DS9367

      Dual P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 3.3 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STL13DP10F6 PSpice model 1.0
      2.41 KB
      ZIP

      STL13DP10F6 PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
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      PDF

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL13DP10F6
批量生产
PowerFLAT 5x6 double island 工业 Ecopack2

STL13DP10F6

Package:

PowerFLAT 5x6 double island

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 5x6 double island

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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