Dual P-channel 100 V, 0.136 Ohm typ., 3.3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 5x6 double island

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  • This device is a dual P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.

    Key Features

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power losses

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STL13DP10F6 PowerFLAT 5x6 double island Tape And Reel
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      DS9367
      Dual P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 3.3 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island
      2.0
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      DS9367

      Dual P-channel 100 V, 0.136 Ω typ., 3.3 A STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island

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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      STL13DP10F6 PSpice model 1.0
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      STL13DP10F6 PSpice model

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STL13DP10F6
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PowerFLAT 5x6 double island 工业 Ecopack2

STL13DP10F6

Package:

PowerFLAT 5x6 double island

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Package

PowerFLAT 5x6 double island

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Industrial

RoHS Compliance Grade

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