STL140N4F7AG

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汽车级N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

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该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

  • 所有功能

    • 通过AEC-Q101认证
    • 处于市面上最低的RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力
    • 侧面可焊性封装

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      STPOWER MOSFET Finder

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      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      Finder应用程序 ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

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STMicroelectronics - STL140N4F7AG

为您的应用下载所有EDA符号、封装和3D模型,加快您的设计速度。您可以从大量CAD格式中进行选择,以匹配您的设计工具链。

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL140N4F7AG
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PowerFLAT 5x6 WF 汽车应用 Ecopack2

STL140N4F7AG

Package:

PowerFLAT 5x6 WF

Material Declaration**:

PDF XML

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Package

PowerFLAT 5x6 WF

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape and Reel PowerFLAT 5x6 WF - - CHINA

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封装:
PowerFLAT 5x6 WF
ECCN (US):
EAR99
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-

产品型号:

STL140N4F7AG

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

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-

Max:

-

Country of Origin:

CHINA

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