STL150N3LLH6

NRND

N沟道30 V、0.0016 Ohm典型值、33 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET,PowerFLAT(TM) 5x6封装

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS6078
      N-channel 30 V, 0.0016 Ω typ., 33 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
      4.0
      913.83 KB
      PDF
      DS6078

      N-channel 30 V, 0.0016 Ω typ., 33 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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      UM1575

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硬件型号、CAD库及SVD

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      STL150N3LLH6 PSpice model 1.1
      9.96 KB
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      STL150N3LLH6 PSpice model

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    • 描述 版本 文档大小 操作
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      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL150N3LLH6
NRND
PowerFLAT 5x6 工业 Ecopack2

STL150N3LLH6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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包装类型
封装
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STL150N3LLH6 没有经销商,请联系我们的销售办事处
NRND
EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 5x6 - - CHINA 1.2 / 1k

STL150N3LLH6

供货状态

NRND

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

1.2 / 1k

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 5x6

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Country of Origin

CHINA

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