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STL160N4F7

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N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主要特性

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness
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PowerFLAT 5x6

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      		DS11024
      N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package       		3.0
      856.38 KB
      		PDF
      DS11024

      N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance       		1.1
      1,006.7 KB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies       		1.1
      1.22 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      PDF
      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STL160N4F7 pSPICE Model 1.0
      10 KB
      		ZIP

      STL160N4F7 pSPICE Model

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      		PDF
      		STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      PDF

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF
产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL160N4F7
批量生产
PowerFLAT 5x6 Industrial Ecopack2

STL160N4F7

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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