STL160N4F7

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N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、120 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

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  • This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主要特性

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent FoM (figure of merit)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS11024
      N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
      3.0
      856.38 KB
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      DS11024

      N-channel 40 V, 2.1 mΩ typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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      1.2
      1.13 MB
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
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      1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STL160N4F7 pSPICE Model 1.0
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      STL160N4F7 pSPICE Model

出版刊物和宣传资料

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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

质量与可靠性

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STL160N4F7
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PowerFLAT 5x6 Industrial Ecopack2

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Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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PowerFLAT 5x6

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Ecopack2

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封装

PowerFLAT 5x6

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Tape And Reel

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