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STL16N60M6

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N沟道600 V、0.29 Ohm典型值、12 A MDmesh M6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装

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  • 新型MDmesh™M6技术融合了众所周知的MDmesh™系列中SuperJunction MOSFET的最新技术。意法半导体在其上一代MDmesh™器件技术基础上构建了新型M6工艺， 不仅改进了RDS(on) 密度，同时提升了开关特性，为实现更高的应用效率提供了友好的用户体验。

    主要特性

    • 减少开关损耗
    • 与上一代相比，具有更低的RDS(on)
    • 低栅极输入电阻
    • 经过100％雪崩测试
    • 稳压保护
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS12079
      N-channel 600 V, 0.30 Ω typ., 8 A MDmesh™ M6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 HV package       		1.0
      883.29 KB
      		PDF
      DS12079

      N-channel 600 V, 0.30 Ω typ., 8 A MDmesh™ M6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 HV package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN5318
      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies       		1.0
      1.09 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN5318

      Super-junction power device evolution: characteristics analysis and performance comparison between MDmesh M2 and MDmesh M6 technologies

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF
      		STPOWER MOSFET MDmesh™ M6 600 to 700 V Super Junction MOSFETs to boost the efficiency 1.0
      173.61 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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      STPOWER MOSFET MDmesh™ M6 600 to 700 V Super Junction MOSFETs to boost the efficiency

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质量与可靠性

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL16N60M6
批量生产
PowerFLAT 5x6 HV Industrial Ecopack2

STL16N60M6

Package:

PowerFLAT 5x6 HV

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批量生产

Package

PowerFLAT 5x6 HV

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Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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代理商库存报告日期: 2020-07-06

获取样片 PowerFLAT 5x6 HV Tape And Reel
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EAR99 CHINA

STL16N60M6

封装

PowerFLAT 5x6 HV

包装类型

Tape And Reel
更多信息

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...的经销商可用性STL16N60M6

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地区 Stock 最小订购量 第三方链接
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代理商库存报告日期: 2020-07-06

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DIGIKEY

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2935

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CHINA

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