STL19N65M5

NRND

N沟道650 V、0.215 Ohm典型值、12.5 A MDmesh M5功率MOSFET,PowerFLAT 8x8 HV封装

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  • This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

    主要特性

    • Worldwide best RDS(on)* area
    • Higher VDSSrating and high dv/dt capability
    • Excellent switching performance

All tools & software

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL19N65M5
NRND
PowerFLAT 8x8 HV 工业 Ecopack2

STL19N65M5

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 8x8 HV - - CHINA

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NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 8x8 HV

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