STL20DN10F7

NRND

双路N沟道100 V、0.065 Ohm典型值、5 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双岛封装

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)

    主要特性

    • N-沟道增强模式
    • 与上一代相比,具有更低的面积值
    • 100 %额定雪崩

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS9366
      Dual N-channel 100 V, 0.059 Ω typ., 5 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package
      3.0
      894.27 KB
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      DS9366

      Dual N-channel 100 V, 0.059 Ω typ., 5 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 double island package

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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STL20DN10F7 PSpice model 1.0
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

质量与可靠性

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL20DN10F7
NRND
PowerFLAT 5x6 double island Industrial Ecopack2

STL20DN10F7

Package:

PowerFLAT 5x6 double island

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

PowerFLAT 5x6 double island

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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STL20DN10F7 没有经销商,请联系我们的销售办事处 PowerFLAT 5x6 double island Tape And Reel
NRND
EAR99 CHINA 0.9 / 1k

STL20DN10F7

封装

PowerFLAT 5x6 double island

包装类型

Tape And Reel

Budgetary Price (US$)*/Qty

0.9 / 1k

供货状态

NRND

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0.9 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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