STL20DN10F7

NRND

双路N沟道100 V、0.065 Ohm典型值、5 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6双岛封装

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)

    主要特性

    • N-沟道增强模式
    • 与上一代相比,具有更低的面积值
    • 100 %额定雪崩

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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PowerFLAT 5x6 double island 工业 Ecopack2

STL20DN10F7

Package:

PowerFLAT 5x6 double island

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

PowerFLAT 5x6 double island

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 5x6 double island - - CHINA 0.9 / 1k

STL20DN10F7

供货状态

NRND

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

0.9 / 1k

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 5x6 double island

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.9 / 1k

Country of Origin

CHINA

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