STL26N60DM6

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N沟道600 V、175 mOhm典型值、15 A MDmesh DM6功率MOSFET,PowerFLAT 8x8 HV封装

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This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
  • 所有功能

    • Fast-recovery body diode
    • Lower RDS(on) per area vs previous generation
    • Low gate charge, input capacitance and resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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      STPOWER MOSFET Finder

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      STPOWER MOSFET Finder

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STL26N60DM6

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL26N60DM6
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PowerFLAT 8x8 HV 工业 Ecopack2

STL26N60DM6

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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ECCN (US)
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封装
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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 8x8 HV

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

3.0 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商