STL26N65DM2

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N-channel 650 V, 0.182 Ohm typ., 20 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主要特性

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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STL26N65DM2 PowerFLAT 8x8 HV Tape And Reel
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      N-channel 650 V, 0.182 Ω typ., 20 A, MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 8x8 HV package
      1.0
      381.47 KB
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      DS12623

      N-channel 650 V, 0.182 Ω typ., 20 A, MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 8x8 HV package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection
      1.0
      1.4 MB
      PDF
      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
      PDF
      AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter
      1.4
      446.79 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

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      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.0
      643.03 KB
      PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      400/650 V MDmesh DM2: STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL26N65DM2
批量生产
PowerFLAT 8x8 HV Industrial Ecopack2

STL26N65DM2

Package:

PowerFLAT 8x8 HV

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 8x8 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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