产品概述
描述
此款N通道功率MOSFET采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅结构。
产品的通态电阻极低，可减小内部电容和栅极电荷，从而实现更加快速、高效的开关切换。
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所有功能
- 符合AEC-Q101
- MSL1级
- 175 °C工作温度
- 经过100％雪崩测试
- 具有可湿性侧面的封装
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STL325N4LF8AG
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符号
封装
3D模型
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 19 Jul 2022 | 19 Jul 2022 |
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STL325N4LF8AG | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | PowerFLAT 5x6 WF | -55 | 175 | CHINA | | ||
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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