产品概述
描述
该高压N沟道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢复二极管特性系列的一个产品。与前一代MDmesh技术相比，DM6将极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及出色的导通电阻 (RDS(on))， 与行业里最高效的开关特性相结合，非常适合用于效率要求苛刻的桥式拓扑和ZVS（零电压开关）移相转换器。
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所有功能
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比，具有更低的面积值
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100％雪崩测试
- 极高的dv / dt耐用性
- 稳压保护
- 强爬电距离封装
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
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EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STL33N60DM6
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符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 08 Apr 2019 | 08 Apr 2019 |
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 封装 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（ºC） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STL33N60DM6 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | PowerFLAT 8x8 HV | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STL33N60DM6 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
封装:
PowerFLAT 8x8 HV
包装类型:
Tape and Reel
RoHS:
-
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
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