产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
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所有功能
- N-沟道增强模式
- 低栅极电荷
- 100 ％额定雪崩
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STL3N10F7
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符号
封装
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全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
样片和购买
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| 产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STL3N10F7 | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | PowerFLAT 2x2 | - | - | CHINA | | ||
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无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
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