产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。-
所有功能
- N-沟道增强模式
- 低栅极电荷
- 100 ％额定雪崩
精选 视频
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Ideal for hard-switching and high-current topologies
All tools & software
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STL3N10F7
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符号
封装
3D模型
全部资源
| Resource title | 版本 | Latest update |
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SPICE models (1)
| Resource title | 版本 | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 05 Jan 2015 |
05 Jan 2015
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样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||
| STL3N10F7 | 2 distributors | Free Sample Buy Direct |
批量生产
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | PowerFLAT 2x2 | - | - | CHINA | 0.4399 / 1k | |
