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STL3NM60N

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N-channel 600 V, 1.5 Ohm, 2.2 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 HV package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
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      860.22 KB
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      DS8889

      N-channel 600 V, 1.5 Ω, 2.2 A MDmesh™ II Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3 x 3.3 HV package

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      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
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      		AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages       		1.3
      776.65 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

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      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      AN2344

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      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STL3NM60N PSpice model 1.0
      4.16 KB
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      STL3NM60N PSpice model

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL3NM60N
批量生产
POWERFLAT 3.3X3.3 HV Industrial Ecopack2

STL3NM60N

Package:

POWERFLAT 3.3X3.3 HV

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

POWERFLAT 3.3X3.3 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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