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STL3NM60N

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N沟道600 V、1.5 Ohm、2.2 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，PowerFLAT(TM) 3.3 x 3.3 HV封装

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主要特性

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
900 V MDmesh K5 MOSFETs

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800 V MDmesh K5 MOSFETs
800 V MDmesh K5 MOSFETs

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS8889
      N-channel 600 V, 1.5 Ω, 2.2 A MDmesh™ II Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3 x 3.3 HV package       		2.0
      860.22 KB
      		PDF
      DS8889

      N-channel 600 V, 1.5 Ω, 2.2 A MDmesh™ II Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3 x 3.3 HV package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction       		1.1
      772.32 KB
      		PDF
      		AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages       		1.3
      776.65 KB
      		PDF
      		AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology       		1.4
      896.91 KB
      		PDF
      		AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings       		1.3
      880.04 KB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      PDF
      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      PDF
      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products       		1.0
      657.71 KB
      		PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		STL3NM60N PSpice model 1.0
      4.16 KB
      		ZIP

      STL3NM60N PSpice model

      ZIP

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode 1.1
      203.54 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      400/650 V MDmesh™ DM2 :STPOWER MOSFET series with fast-recovery body diode

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL3NM60N
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PowerFLAT 3.3x3.3 HV 工业 Ecopack2

STL3NM60N

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3 HV

Material Declaration**:

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批量生产

Package

PowerFLAT 3.3x3.3 HV

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

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ARROW AMERICA 24000 3000 马上订购
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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 3.3x3.3 HV - - MALAYSIA

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供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99
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...的经销商可用性STL3NM60N

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地区 库存 最小订购量 第三方链接
DIGIKEY WORLDWIDE 3979 1 马上订购
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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 3.3x3.3 HV

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

MALAYSIA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。