STL42P4LLF6

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P-channel 40 V, 0.0155 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL42P4LLF6

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      DS10066
      P-channel 40 V, 0.0155 Ω typ.,42 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package
      2.0
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      DS10066

      P-channel 40 V, 0.0155 Ω typ.,42 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL42P4LLF6
批量生产
PowerFLAT 5x6 Industrial Ecopack2

STL42P4LLF6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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批量生产

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PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

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Ecopack2

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