Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 通过AEC-Q101认证
    • 处于市面上最低的RDS(on) 行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力
    • 具有可湿性侧面的封装

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      DS12032

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      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
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      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
      1,006.7 KB
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
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      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      STL45N10F7AG PSpice model 1.0
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      ZIP

      STL45N10F7AG PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      PDF
      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STL45N10F7AG
批量生产
PowerFLAT 5x6 WF 汽车 Ecopack2

STL45N10F7AG

Package:

PowerFLAT 5x6 WF

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 5x6 WF

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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