STL45P3LLH6 - P-channel -30 V, 11 mOhm typ., -45 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package - STMicroelectronics

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This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low R_DS(on) in all packages.

主要特性
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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样片和购买

产品型号	封装	包装类型	供货状态	ECCN (US)	Country of Origin	Approximate Price (US$)* / Qty	从ST订购	从分销商订购
STL45P3LLH6	PowerFLAT 5x6	Tape And Reel	批⁠量⁠生⁠产	EAR99	CHINA	1.10 / 1k	立即购买	没有经销商，请联系我们的销售办事处

STL45P3LLH6

封装

PowerFLAT 5x6

包装类型

Tape And Reel

Approximate Price (US$)* / Qty

1.10 / 1k

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处或我们的经销商。

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产品规格
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  DS10144
  P-channel -30 V, 11 mΩ typ., -45 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package 1.0
  836.13 KB
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  DS10144
  
  P-channel -30 V, 11 mΩ typ., -45 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package
  
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应用手册
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  AN4337
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters 1.1
  347.01 KB
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  AN4337
  
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
  
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用户手册
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  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
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  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
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硬件型号、CAD库及SVD

产品型号	供货状态	封装	等级规格	符合RoHS级别	材料声明**
STL45P3LLH6	批量生产	PowerFLAT 5x6	Industrial	Ecopack2	PDF XML

STL45P3LLH6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系销售支持。