STL45P3LLH6

This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low R_DS(on) in all packages.

主要特性
- Very low on-resistance
- Very low gate charge
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power loss
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样片和购买

产品型号	封装	包装类型	供货状态	预算价格(US$)	数量	ECCN (US)	Country of Origin	从分销商订购	从ST订购
STL45P3LLH6	PowerFLAT 5x6	Tape And Reel	批量生产	1.05	1000	EAR99	CHINA	没有经销商，请联系我们的销售办事处	立即购买

STL45P3LLH6

封装

PowerFLAT 5x6

包装类型

Tape And Reel

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单价(US$)

1.05*

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技术文档

产品规格
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  DS10144
  P-channel -30 V, 11 mΩ typ., -45 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package 1.0
  836.13 KB
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  DS10144
  
  P-channel -30 V, 11 mΩ typ., -45 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package
  
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应用手册
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  AN4337
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters 1.1
  347.01 KB
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  AN4337
  
  The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
  
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用户手册
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  UM1575
  Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3
  1.51 MB
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  UM1575
  
  Spice model tutorial for Power MOSFETs
  
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	描述	版本	文档大小	操作
	DS10144 P-channel -30 V, 11 mΩ typ., -45 A STripFET™ H6 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 package	1.0	836.13 KB	PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	AN4337 The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters	1.1	347.01 KB	PDF

	描述	版本	文档大小	操作
	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs	1.3	1.51 MB	PDF

硬件型号、CAD库及SVD

	描述	版本	文档大小	操作
	STL45P3LLH6 PSpice model	1.0	8.92 KB	ZIP

产品型号	供货状态	封装	等级规格	符合RoHS级别	Material Declaration**
STL45P3LLH6	批量生产	PowerFLAT 5x6	工业	Ecopack2	PDF XML

STL45P3LLH6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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More Info

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.