STL45P3LLH6

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P沟道-30 V、11 mOhm典型值、-45 A STripFET H6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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PowerFLAT 5x6 工业 Ecopack2

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Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

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Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 5x6 - - CHINA 1.05 / 1k

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EAR99

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1.05 / 1k

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 5x6

Operating Temperature (°C)

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Country of Origin

CHINA

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