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STL4N10F7

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N沟道100 V、0.062 Ohm典型值、4.5 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装

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该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。

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