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该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。
主要特性
- 出色的品质因数(FoM)
- 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
精选 视频
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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产品规格 (1)
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01 Feb 2018 |
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应用手册 (5 of 6)
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25 Oct 2016 |
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13 Sep 2018 |
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22 Jan 2019 |
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07 Jan 2019 |
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08 Nov 2019 |
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13 Sep 2018 |
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用户手册 (1)
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21 Oct 2016 |
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工具/软件相关的应用笔记 (1)
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08 Jun 2020 |
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宣传册 (4)
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22 Jan 2020 |
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25 Sep 2019 |
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08 May 2020 |
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13 Jun 2019 |
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手册 (1)
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23 Mar 2020 |
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
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硬件型号、CAD库及SVD (1)
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ZIP | 05 Jan 2015 |
05 Jan 2015
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样片和购买
产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度(ºC) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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STL4N10F7 | 3 distributors | Free Sample Buy Direct |
批量生产
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | PowerFLAT 3.3x3.3 | - | - | CHINA | 0.605 / 1k |