STL4P3LLH6

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P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 2x2 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance RDS(on)
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL4P3LLH6 PowerFLAT 2x2 Tape And Reel
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STL4P3LLH6

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      DS9650
      P-channel 30 V, 0.048 Ω typ., 4 A STripFET™ H6 DeepGATE™ Power MOSFET in PowerFLAT™ 2x2 package
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      DS9650

      P-channel 30 V, 0.048 Ω typ., 4 A STripFET™ H6 DeepGATE™ Power MOSFET in PowerFLAT™ 2x2 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4391
      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications
      1.0
      1.6 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL4P3LLH6
批量生产
PowerFLAT 2x2 Industrial Ecopack2

STL4P3LLH6

Package:

PowerFLAT 2x2

Material Declaration**:

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批量生产

Package

PowerFLAT 2x2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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