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STL4P3LLH6

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P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 2x2 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance RDS(on)
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss
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      		DS9650
      P-channel 30 V, 0.048 Ω typ., 4 A STripFET™ H6 DeepGATE™ Power MOSFET in PowerFLAT™ 2x2 package       		2.0
      760.41 KB
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      DS9650

      P-channel 30 V, 0.048 Ω typ., 4 A STripFET™ H6 DeepGATE™ Power MOSFET in PowerFLAT™ 2x2 package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN4391
      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications       		1.0
      1.6 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN4391

      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications

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      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF
产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL4P3LLH6
批量生产
PowerFLAT 2x2 Industrial Ecopack2

STL4P3LLH6

Package:

PowerFLAT 2x2

Material Declaration**:

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PowerFLAT 2x2

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Industrial

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Ecopack2

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