产品概述
描述
该高电压N-沟道功率MOSFET来自MDmesh DM6快速恢复二极管系列。与之前的MDmesh快速恢复二极管相比，DM6兼具超低恢复电荷（Qrr）和超快恢复时间（trr），并且在单位面积的RDS(on)值方面有了极大改进，采用市场上最高效的开关行为之一，适用于要求最苛刻的高效桥式拓扑和ZVS移相转换器。
-
所有功能
- 快速恢复体二极管
- 与上一代相比，具有更低的单位面积RDS(on)值
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 经过100％雪崩测试
- 非常高的dv / dt耐用性
- 稳压保护
- 分离驱动源极引脚使其具有出色的开关性能
精选 视频
意法半导体提供全新的高压MDmesh M6和M9 STPOWER MOSFET，这些产品采用紧凑且散热效率高的TO-LL表面贴装型封装，可同时提供高的电气和热效率、外形紧凑和节省空间等特性，适用于SMPS、数据中心和太阳能微逆变器等电源转换应用。这些器件具有附加的Kelvin源引脚，可减小接通/关断开关损耗，有助于设计人员进一步提高效率。
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STL52N60DM6
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型
全部资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 30 Jul 2021 | 30 Jul 2021 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 封装 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|
| STL52N60DM6 | 批量生产 | PowerFLAT 8x8 HV | 工业 | Ecopack2 | |
STL52N60DM6
Package:
PowerFLAT 8x8 HVMaterial Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
Don't show this again
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 封装 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（ºC） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STL52N60DM6 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | PowerFLAT 8x8 HV | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STL52N60DM6 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
封装:
PowerFLAT 8x8 HV
包装类型:
Tape and Reel
RoHS:
-
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
Don't show this again