STL60P4LLF6

批量生产

P沟道-40 V、0.0115 Ohm典型值、-60 A STripFET F6功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STL60P4LLF6

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质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
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PowerFLAT 5x6 工业 Ecopack2

STL60P4LLF6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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产品型号
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供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度(ºC) Country of Origin
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最小值
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DIGIKEY WORLDWIDE 28829 1 马上订购
RS COMPONENTS EUROPE 5650 1 马上订购
FUTURE WORLDWIDE 6000 3000 马上订购
Newark Element14 AMERICA 575 0 马上订购
MOUSER WORLDWIDE 3480 1 马上订购
Farnell Element14 EUROPE 6256 1 马上订购

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ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 5x6

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.25 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商