STL6N3LLH6

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N沟道30 V、0.021 Ohm典型值、6 A STripFET H6功率MOSFET,PowerFLAT 2x2封装

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This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

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PowerFLAT 2x2 工业 Ecopack2

STL6N3LLH6

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EAR99 NEC Tape and Reel PowerFLAT 2x2 - - CHINA

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封装:
PowerFLAT 2x2
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EAR99
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STL6N3LLH6

ECCN (EU):

NEC

包装类型:

Tape and Reel

Operating Temperature (°C)

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CHINA

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