STL6P3LLH6

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P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL6P3LLH6 PowerFLAT 3.3x3.3 Tape And Reel
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      DS9257
      P-channel 30 V, 24 mΩ typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
      4.0
      677.13 KB
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      DS9257

      P-channel 30 V, 24 mΩ typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN4391
      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications
      1.0
      1.6 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
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      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN4391

      New P-channel trench technology from ST for low power DC-DC conversions and load switching applications

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STL6P3LLH6 PSpice model 1.0
      5.37 KB
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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL6P3LLH6
批量生产
PowerFLAT 3.3x3.3 Industrial Ecopack2

STL6P3LLH6

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

Material Declaration**:

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批量生产

Package

PowerFLAT 3.3x3.3

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

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