产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。-
所有功能
- N-沟道增强模式
- 与上一代相比,具有更低的R x 面积值
- 100 %额定雪崩
精选 视频
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
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EDA符号、封装和3D模型
样片和购买
产品型号 | Order from distributors | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度(ºC) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小值 | 最大值 | |||||||||||
STL7N10F7 | 1 distributors | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | PowerFLAT 3.3x3.3 | - | - | CHINA | |