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STL7N10F7

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N沟道100 V、0.027 Ohm典型值、7 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装

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  • 该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。

    主要特性

    • N-沟道增强模式
    • 与上一代相比，具有更低的R x 面积值
    • 100 ％额定雪崩
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900 V MDmesh K5 MOSFETs
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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		DS10195
      N-channel 100 V, 0.027 Ω typ., 7 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package       		2.0
      869.67 KB
      		PDF
      DS10195

      N-channel 100 V, 0.027 Ω typ., 7 A STripFET™ VII DeepGATE™ Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance       		1.2
      1.13 MB
      		PDF
      		AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance       		1.1
      1,006.7 KB
      		PDF
      		AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications       		1.2
      1.45 MB
      		PDF
      		AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies       		1.1
      1.22 MB
      		PDF
      		AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters       		1.1
      347.01 KB
      		PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      PDF
      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      PDF
      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      PDF
      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      		UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs       		1.3
      1.51 MB
      		PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

      PDF

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      		300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      		PDF
      		AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      743.73 KB
      		PDF
      		ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
      		PDF
      		STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.0
      1.15 MB
      		PDF

      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      PDF

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      PDF

      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS

      PDF

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

      PDF
    • 描述 版本 文档大小 操作
      		Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      		PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

      PDF

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL7N10F7
批量生产
PowerFLAT 3.3x3.3 工业 Ecopack2

STL7N10F7

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

Material Declaration**:

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Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 3.3x3.3

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持 。

样片和购买

产品型号
从分销商订购
从ST订购
供货状态
ECCN (US)
ECCN (EU)
包装类型
封装
温度（ºC） Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小值
最大值
STL7N10F7 Available at 1 distributors

...的经销商可用性STL7N10F7

代理商名称
地区 库存 最小订购量 第三方链接
AVNET AMERICA 45000 0 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-08-10

代理商名称

AVNET

库存

45000

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0

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AMERICA 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-08-10

批量生产
EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 3.3x3.3 - - CHINA 1.2 / 1k

STL7N10F7

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99
更多信息

Budgetary Price (US$)*/Qty

1.2 / 1k

...的经销商可用性STL7N10F7

代理商名称
地区 库存 最小订购量 第三方链接
AVNET AMERICA 45000 0 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-08-10

代理商名称

AVNET

库存

45000

Min.Order

0

地区

AMERICA 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-08-10

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 3.3x3.3

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

1.2 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商 。