产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则,具有新的栅极结构。因而,功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
-
所有功能
- N-沟道增强模式
- 与上一代相比,具有更低的R x 面积值
- 100 %额定雪崩
EDA符号、封装和3D模型
样片和购买
产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 封装 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度(ºC) | Operating Temperature (°C) (min) | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
最小值 | 最大值 | |||||||||||||
STL7N10F7 | | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 | PowerFLAT 3.3x3.3 | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - |
STL7N10F7 批量生产