产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。-
所有功能
- N-沟道增强模式
- 与上一代相比，具有更低的R x 面积值
- 100 ％额定雪崩
精选 视频
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
All tools & software
全部资源
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产品规格 (1)
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| 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |
应用手册 (5)
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| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 | |||
| 26 May 2021 | 26 May 2021 | |||
| 07 Jan 2019 | 07 Jan 2019 | |||
| 17 Mar 2021 | 17 Mar 2021 | |||
| 13 Sep 2018 | 13 Sep 2018 |
用户手册 (1)
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| 21 Oct 2016 | 21 Oct 2016 |
宣传册 (5)
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| 22 Feb 2021 | 22 Feb 2021 | |||
| 26 Mar 2021 | 26 Mar 2021 | |||
| 25 Sep 2019 | 25 Sep 2019 | |||
| 08 May 2020 | 08 May 2020 | |||
| 13 Jun 2019 | 13 Jun 2019 |
手册 (1)
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| 03 Jun 2021 | 03 Jun 2021 |
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STL7N10F7
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符号
封装
3D模型
样片和购买
| 产品型号 | 从分销商订购 | 从ST订购 | 供货状态 | ECCN (US) | ECCN (EU) | 包装类型 | 封装 | 温度（ºC） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| STL7N10F7 | 4 distributors | Free Sample Buy Direct | 批量生产 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | PowerFLAT 3.3x3.3 | - | - | CHINA | 0.5401 / 1k | |
