产品概述
描述
该器件使用ST专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具有新的栅极结构。因而，功率MOSFET在不同封装中都能呈现最低的RDS(on)。
-
所有功能
- N-沟道增强模式
- 与上一代相比，具有更低的R x 面积值
- 100 ％额定雪崩
EDA符号、封装和3D模型
STMicroelectronics - STL7N10F7
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符号
封装
3D模型
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 封装 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | 温度（ºC） | Operating Temperature (°C) (min) | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值 | 最大值 | |||||||||||||
| STL7N10F7 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 | PowerFLAT 3.3x3.3 | Tape and Reel | CHINA | EAR99 | NEC | - | - | - | |||
STL7N10F7 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
封装:
PowerFLAT 3.3x3.3
包装类型:
Tape and Reel
RoHS:
-
Country of Origin:
CHINA
ECCN (US):
EAR99
ECCN (EU):
NEC
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