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STL8N6F7

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N沟道60 V、0.019 Ohm典型值、8 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 3.3x3.3封装

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产品概述

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该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。

  • 所有功能

    • 处于市面上最低的 RDS(on)行列
    • 出色的品质因数（FoM）
    • 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力
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      STPOWER MOSFET Finder

      批量生产

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

      		 Finder Apps ST
      STPOWER MOSFET Finder

      描述:

      用于安卓和iOS的MOSFET产品查找应用

EDA符号、封装和3D模型

STMicroelectronics - STL8N6F7

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SPICE models (1)

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STL8N6F7 PSpice model
1.0 23 Mar 2016
23 Mar 2016
STL8N6F7 PSpice model 1.0

质量与可靠性

产品型号 Marketing Status 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL8N6F7
批量生产
PowerFLAT 3.3x3.3 工业 Ecopack2

STL8N6F7

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

Material Declaration**:

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批量生产

Package

PowerFLAT 3.3x3.3

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。

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STL8N6F7 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
批量生产
EAR99 NEC Tape And Reel PowerFLAT 3.3x3.3 - - CHINA 0.2107 / 1k

STL8N6F7

供货状态

批量生产

ECCN (US)

EAR99
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Budgetary Price (US$)*/Qty

0.2107 / 1k

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Tape And Reel

封装

PowerFLAT 3.3x3.3

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-

(最大值)

-

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0.2107 / 1k

Country of Origin

CHINA

(*) 建议转售单价（美元）仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价，请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商。