N-channel 60 V, 0.019 Ohm typ., 8 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package

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  • 该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。

    主要特性

    • 处于市面上最低的 RDS(on)行列
    • 出色的品质因数(FoM)
    • 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
    • 坚固的抗雪崩能力

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STL8N6F7 PowerFLAT 3.3x3.3 Tape And Reel
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STL8N6F7

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PowerFLAT 3.3x3.3

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Tape And Reel

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      DS11217
      N-channel 60 V, 0.019 Ω typ., 8 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package
      2.0
      654.86 KB
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      DS11217

      N-channel 60 V, 0.019 Ω typ., 8 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 3.3x3.3 package

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      UM1575

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      STL8N6F7 PSpice model 1.0
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      STL8N6F7 PSpice model

出版刊物和宣传资料

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      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

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产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STL8N6F7
批量生产
PowerFLAT 3.3x3.3 工业 Ecopack2

STL8N6F7

Package:

PowerFLAT 3.3x3.3

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

PowerFLAT 3.3x3.3

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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