Product overview
描述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构,可降低通态电阻,同时降低内部电容和栅极电荷,从而使开关速度更快、能效更高。-
All features
- 处于市面上最低的 RDS(on)行列
- 出色的品质因数(FoM)
- 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
精选 视频
All tools & software
All resources
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产品规格 (1)
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29 Oct 2015 |
29 Oct 2015
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应用手册 (5)
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13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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22 Jan 2019 |
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07 Jan 2019 |
07 Jan 2019
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08 Nov 2019 |
08 Nov 2019
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13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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用户手册 (1)
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21 Oct 2016 |
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宣传册 (4)
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22 Feb 2021 |
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25 Sep 2019 |
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08 May 2020 |
08 May 2020
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13 Jun 2019 |
13 Jun 2019
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手册 (1)
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23 Mar 2020 |
23 Mar 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
All resources
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硬件型号、CAD库及SVD (1)
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ZIP | 23 Mar 2016 |
23 Mar 2016
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